IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm.
Weitere Produktangebote IPI086N10N3GXKSA1 nach Preis ab 0.90 EUR bis 3.71 EUR
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPI086N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |