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IPI086N10N3GXKSA1

IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipi086n10n3gxk.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
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50+1.80 EUR
100+1.61 EUR
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
auf Bestellung 162 Stücke:
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IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
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31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-3164999.pdf MOSFET TRENCH >=100V
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