IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3, Technology: CoolMOS™ CP, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.25Ω, Drain current: 12A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 104W, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPI60R250CPAKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 600V |
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