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IPL60R105P7AUMA1

IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
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41+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
40+4.06 EUR
100+3.27 EUR
250+3.12 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
40+4.22 EUR
100+3.46 EUR
250+3.37 EUR
500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
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23+7.89 EUR
32+5.33 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 5903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.82 EUR
10+6.51 EUR
50+5.09 EUR
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500+4.11 EUR
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1+10.14 EUR
10+6.68 EUR
100+4.88 EUR
500+4.24 EUR
1000+4.06 EUR
3000+3.8 EUR
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IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.61 EUR
29+8.28 EUR
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
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41+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
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40+4.06 EUR
100+3.27 EUR
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40+4.22 EUR
100+3.46 EUR
250+3.37 EUR
500+3.18 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.89 EUR
32+5.33 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 5903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.82 EUR
10+6.51 EUR
50+5.09 EUR
100+4.64 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1256 Stücke:
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1+10.14 EUR
10+6.68 EUR
100+4.88 EUR
500+4.24 EUR
1000+4.06 EUR
3000+3.8 EUR
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IPL60R105P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.61 EUR
29+8.28 EUR
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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