Technische Details IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 151W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.
Weitere Produktangebote IPL60R210P6AUMA1 nach Preis ab 1.96 EUR bis 6.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 11040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSONInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 2.05 EUR |
| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 209+ | 3.13 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| 10000+ | 2.19 EUR |
| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 44+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 44+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.77 EUR |
| 48+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| IPL60R210P6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 4.43 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.5 EUR |




