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IPL60R299CPAUMA1

IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
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Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Package / Case: 4-PowerTSFN
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