IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
auf Bestellung 201 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
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Technische Details IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.32 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89.3W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm.
Weitere Produktangebote IPL60R360P6SATMA1 nach Preis ab 2.04 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPL60R360P6SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6 |
auf Bestellung 3096 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPL60R360P6SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.32 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89.3W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R360P6SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.32 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89.3W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R360P6SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL60R360P6SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V |
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