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IPL60R365P7AUMA1

IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r365p7-ds-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r365p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 8390 Stücke:
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500+1.95 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r365p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 93468 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r365p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r365p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5037 Stücke:
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79+2.21 EUR
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106+1.54 EUR
500+1.4 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 INFINEON 2712219.pdf Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
102+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r365p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R365P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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1+5.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 INFINEON 2712219.pdf Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
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46+5.52 EUR
70+3.32 EUR
102+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPL60R365P7AUMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
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500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
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500+1.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
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91+1.86 EUR
106+1.54 EUR
500+1.4 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 2712219.pdf
IPL60R365P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
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5+5.05 EUR
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100+2.24 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 Infineon_IPL60R365P7_DS_v02_03_EN.pdf
IPL60R365P7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
3000+1.69 EUR
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IPL60R365P7AUMA1 2712219.pdf
IPL60R365P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
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46+5.52 EUR
70+3.32 EUR
102+2.11 EUR
500+1.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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