IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.02 EUR |
| 36+ | 4.7 EUR |
| 45+ | 3.59 EUR |
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Technische Details IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 102W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPL65R130C7AUMA1 nach Preis ab 3.74 EUR bis 11.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4 |
auf Bestellung 3011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 73 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPL65R130C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.02 EUR |
| 36+ | 4.8 EUR |
| 45+ | 3.74 EUR |
| IPL65R130C7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.34 EUR |
| 45+ | 5.25 EUR |
| IPL65R130C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.64 EUR |
| 10+ | 7.09 EUR |
| 100+ | 5.08 EUR |
| 500+ | 4.58 EUR |
| IPL65R130C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4
MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.08 EUR |
| 10+ | 7.27 EUR |
| 100+ | 5.34 EUR |
| 500+ | 4.76 EUR |
| 1000+ | 4.25 EUR |
| IPL65R130C7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)