IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 4.26 EUR |
| 25+ | 3.98 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 250+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
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Technische Details IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPL65R195C7AUMA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 5.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V |
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL65R195C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W |
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