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IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18 Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 987 Stücke:
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100+2.75 EUR
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R195C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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1+5.9 EUR
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