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IPL65R195C7AUMA1

IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2604 Stücke:
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100+3.13 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.59 EUR
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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36+4.96 EUR
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3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R195C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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1+7.12 EUR
10+4.65 EUR
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1000+2.64 EUR
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
47+4.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18 Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
10+5.02 EUR
100+3.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
253+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.13 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
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Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
36+4.96 EUR
49+3.55 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+4.96 EUR
49+3.47 EUR
100+2.55 EUR
500+2.05 EUR
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.65 EUR
100+3.39 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
3000+2.45 EUR
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IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.27 EUR
47+4.99 EUR
100+3.38 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPL65R195C7AUMA1 Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18
IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+5.02 EUR
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