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IPLU300N04S4R8XTMA1

IPLU300N04S4R8XTMA1 Infineon Technologies

IPLU300N04S4-R8-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01476cd7a7417b72&ack=t Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPLU300N04S4R8XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 530 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 530µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1678942771342751iplu300n04s4-r8-data-sheet-10-infineon.pdffileid5546d4614755559a0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1075 Stücke:
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117+4.64 EUR
500+4.25 EUR
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1678942771342751iplu300n04s4-r8-data-sheet-10-infineon.pdffileid5546d4614755559a0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 347826 Stücke:
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1678942771342751iplu300n04s4-r8-data-sheet-10-infineon.pdffileid5546d4614755559a0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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10000+3.5 EUR
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1678942771342751iplu300n04s4-r8-data-sheet-10-infineon.pdffileid5546d4614755559a0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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50+5.66 EUR
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPLU300N04S4-R8-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01476cd7a7417b72&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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3+8.78 EUR
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPLU300N04S4_R8_DS_v01_01_EN-3362734.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 530 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPLU300N04S4R8XTMA1 IPLU300N04S4R8XTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 530 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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auf Bestellung 4000 Stücke:
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Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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