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IPN50R2K0CEATMA1

IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
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auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
272+0.63 EUR
273+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
328+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 8956 Stücke:
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16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 2680 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 388 Stücke:
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IPN50R2K0CEATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 8956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
160+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
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