IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.39 EUR |
| 6000+ | 0.37 EUR |
| 9000+ | 0.34 EUR |
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Technische Details IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPN50R800CEATMA1 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.26 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2903 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
auf Bestellung 15087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R800CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R |
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