IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
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auf Bestellung 2799 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 148+ | 0.49 EUR |
| 164+ | 0.44 EUR |
| 212+ | 0.34 EUR |
| 225+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPN50R950CEATMA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.99 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 0.95Ω Drain current: 4.2A Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 8921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V |
auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN50R950CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V |
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