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IPN60R2K1CEATMA1

IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPN60R2K1CE_DS_v02_00_EN-1227090.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
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Technische Details IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm.

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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 6805infineon-ipn60r2k1ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 6805infineon-ipn60r2k1ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 6805infineon-ipn60r2k1ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPN60R2K1CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
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IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPN60R2K1CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
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