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IPN60R360P7SATMA1

Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Produktcode: 133578
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.53 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+1.25 EUR
6000+1.2 EUR
12000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.38 EUR
6000+1.32 EUR
12000+1.26 EUR
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 6877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.09 EUR
14+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN60R360P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.23 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN60R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
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