IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPN60R360P7SATMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.83 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPN60R360P7SATMA1 Produktcode: 133578
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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| IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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| IPN60R360P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A |
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