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IPN60R360PFD7SATMA1

IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPN60R360PFD7SATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon TIPN60r360pfd7s_0001.pdf Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 5635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 10A; Idm: 10A; 7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 TIPN60r360pfd7s_0001.pdf
IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: Infineon
Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.34 EUR
10+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 5635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 10A; Idm: 10A; 7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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