IPN60R3K4CEATMA1
Produktcode: 143229
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
auf Bestellung 23054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 3917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN60R3K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R |
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