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IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPN60R600P7SATMA1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN60R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
139+0.62 EUR
158+0.54 EUR
193+0.44 EUR
224+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
160+1.08 EUR
186+0.9 EUR
200+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON 2718778.pdf Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.71 EUR
177+1.31 EUR
225+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon TIPN60r600p7s_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
140+1.65 EUR
213+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+0.82 EUR
139+0.62 EUR
158+0.54 EUR
193+0.44 EUR
224+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.29 EUR
160+1.08 EUR
186+0.9 EUR
200+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
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6000+0.61 EUR
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IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.71 EUR
177+1.31 EUR
225+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.37 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
140+1.65 EUR
213+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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