IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 186+ | 0.72 EUR |
| 200+ | 0.66 EUR |
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Technische Details IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPN60R600P7SATMA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs CONSUMER |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN60R600P7S SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN60R600P7SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
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