IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
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Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPN70R1K5CEATMA1 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
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auf Bestellung 7405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.4A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.4A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 |
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