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IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN70R360P7S_DS_v02_02_EN-1709872.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA4AC57BCA0143&compId=IPN70R360P7S.pdf?ci_sign=5821d17ce2d7c8fad36de387f6604f90da9e4af3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA4AC57BCA0143&compId=IPN70R360P7S.pdf?ci_sign=5821d17ce2d7c8fad36de387f6604f90da9e4af3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH