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IPN70R450P7SATMA1

IPN70R450P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 10A; Idm: 10A; 7.1W; SOT223
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7.1W
Gate charge: 13.1nC
Polarisation: N
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 16V
Case: SOT223
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details IPN70R450P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
196+0.88 EUR
231+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
195+0.86 EUR
196+0.83 EUR
231+0.68 EUR
250+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
122+1.42 EUR
142+1.19 EUR
200+1.09 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R450P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.71 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+0.89 EUR
196+0.88 EUR
231+0.73 EUR
250+0.69 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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182+0.96 EUR
195+0.86 EUR
196+0.83 EUR
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Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
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104+1.69 EUR
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IPN70R450P7SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.71 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
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100+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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