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IPN80R1K2P7

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4104 Stücke:
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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82+2.14 EUR
120+1.44 EUR
200+1.24 EUR
500+1.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
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94+2.68 EUR
138+1.69 EUR
187+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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8+2.92 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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500+1.01 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
714+0.92 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
94+2.68 EUR
138+1.69 EUR
187+1.14 EUR
500+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.14 EUR
10+1.82 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.89 EUR
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Kontakt "POGO" gefedert SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Produktcode: 212073
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POGO_PIN_smd.png
Kontakt "POGO" gefedert SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5Kontakt "POGO" gefedert SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Kontakt "POGO" gefedert SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5Kontakt "POGO" gefedert SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Funktionsbeschreibung: POGO SMD — ist ein gefederter Kontaktgeber für zuverlässiger temporärer oder lösbarer Verbindungen. Höhe über der Leiterplatte: maximal 5mm. Höhe des beweglichen Kontakts: 1.5mm.
Stifte oder Buchsen: Stifte POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
auf Bestellung: 234 St.
  • 234 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.36 EUR
100+0.32 EUR
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PMEG6010CEH.115
Produktcode: 160308
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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