Weitere Produktangebote IPN80R1K2P7 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.45 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
auf Bestellung 2912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.1A Power dissipation: 6.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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| Контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5 Produktcode: 212073
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Stecker/Buchse: Штирі POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
Beschreibung: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Stecker/Buchse: Штирі POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
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| PMEG6010CEH.115 Produktcode: 160308
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