IPN80R1K2P7


Produktcode: 144481
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPN80R1K2P7 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.53 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+2.45 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.64 EUR
10+1.53 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Produktcode: 212073
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
POGO_PIN_smd.png
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Stecker/Buchse: Штирі POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
auf Bestellung 288 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMEG6010CEH.115
Produktcode: 160308
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH