Weitere Produktangebote IPN80R1K2P7 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
auf Bestellung 2912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.45 EUR |
| 12+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| IPN80R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.53 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 3000+ | 0.62 EUR |
| 6000+ | 0.6 EUR |
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| Контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5 Produktcode: 212073
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Stecker/Buchse: Штирі POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
Beschreibung: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Stecker/Buchse: Штирі POGO SMD
Anzahl Kontakte: 1
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| PMEG6010CEH.115 Produktcode: 160308
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