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IPN80R1K2P7

Produktcode: 144481
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.57 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
714+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 714
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Anzahl Preis
82+1.76 EUR
120+1.16 EUR
200+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.56 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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2+1.88 EUR
10+1.27 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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8+2.24 EUR
13+1.41 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPN80R1K2P7 IPN80R1K2P7 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDFE7C04F673D1&compId=IPN80R1K2P7.pdf?ci_sign=016ba9a1e5be19df356a574b4dc7ffc00988a06e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
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Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 5032 Stück
5000 Stück - stock Köln
32 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100uH 10% 1812 190мА (LQH43CN101K03L-Murata) индуктивность
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P7805-Q24-S3-S
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Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1215
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 14514 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1280
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10pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 26659 Stück
1200 Stück - stock Köln
25459 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0059 EUR
10000+0.0049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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