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IPN80R1K4P7ATMA1

infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf
Produktcode: 148097
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
144+1.19 EUR
179+0.94 EUR
250+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
143+1.18 EUR
144+1.13 EUR
179+0.87 EUR
250+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
110+1.56 EUR
128+1.31 EUR
200+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
141+1.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.23 EUR
144+1.19 EUR
179+0.94 EUR
250+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.44 EUR
143+1.18 EUR
144+1.13 EUR
179+0.87 EUR
250+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+1.87 EUR
110+1.56 EUR
128+1.31 EUR
200+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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141+1.65 EUR
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1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
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IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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