Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R2K4P7ATMA1
IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.47 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPN80R2K4P7ATMA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 27infineon-ipn80r2k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.26 EUR
137+1.04 EUR
159+0.85 EUR
200+0.78 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN80R2K4P7_DS_v02_01_EN-3362487.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.69 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
auf Bestellung 13639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.69 EUR
16+1.12 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 27infineon-ipn80r2k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 27infineon-ipn80r2k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 27infineon-ipn80r2k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c IPN80R2K4P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH