IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Weitere Produktangebote IPN80R2K4P7ATMA1 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
auf Bestellung 11665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Power dissipation: 6.3W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPN80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Power dissipation: 6.3W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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