Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.35 EUR
6000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPN80R4K5P7ATMA1 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.38 EUR
6000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
185+0.84 EUR
203+ 0.75 EUR
204+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
3000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 185
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
auf Bestellung 5293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.09 EUR
19+ 0.95 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPN80R4K5P7_DS_v02_01_EN-3362534.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 536-540 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.11 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
90+ 0.8 EUR
101+ 0.71 EUR
123+ 0.58 EUR
130+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
90+ 0.8 EUR
101+ 0.71 EUR
123+ 0.58 EUR
130+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar