Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R750P7ATMA1
IPN80R750P7ATMA1

IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.88 EUR
94+1.83 EUR
117+1.44 EUR
250+1.39 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPN80R750P7ATMA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
93+1.81 EUR
94+1.73 EUR
117+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.83 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
115+2.03 EUR
158+1.36 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.23 EUR
93+1.81 EUR
94+1.73 EUR
117+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_01-EN.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.68 EUR
10+1.83 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
115+2.03 EUR
158+1.36 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH