IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.82 EUR |
| 6000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPN80R750P7ATMA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
auf Bestellung 11228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 6678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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| IPN80R750P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN80R750P7 SMD N channel transistors |
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