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IPN80R900P7ATMA1

IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies

25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R900P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r900p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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