IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.95 EUR |
| 9000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm.
Weitere Produktangebote IPN95R1K2P7ATMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm |
auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 5576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V |
auf Bestellung 28027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm |
auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 492+ | 1.36 EUR |
| 546+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.64 EUR |
| 134+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 2.65 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 2.65 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| 3000+ | 0.94 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
auf Bestellung 28027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 50+ | 1.68 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.55 EUR |
| 88+ | 2.64 EUR |
| 134+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |