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IPN95R2K0P7ATMA1

IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm.

Weitere Produktangebote IPN95R2K0P7ATMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 3.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 21955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
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2+3.08 EUR
10+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
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3000+0.81 EUR
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IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.07 EUR
169+1.27 EUR
500+1 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: CoolMOS P7
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
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137+1.21 EUR
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185+0.8 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
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Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+1.45 EUR
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1000+0.98 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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MSL: -
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Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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140+1.09 EUR
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