Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN95R3K7P7ATMA1
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.65 EUR
9000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm.

Weitere Produktangebote IPN95R3K7P7ATMA1 nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 14811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN95R3K7P7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.7 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
111+2.11 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
111+2.11 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 950V Power Transistor
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.25 EUR
163+1.04 EUR
166+0.98 EUR
262+0.6 EUR
264+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
IPN95R3K7P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 14811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon_IPN95R3K7P7_DS_v02_00_EN.pdf
IPN95R3K7P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.75 EUR
10+1.7 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
IPN95R3K7P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.43 EUR
111+2.11 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
IPN95R3K7P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.43 EUR
111+2.11 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
Hersteller: Infineon Technologies
950V Power Transistor
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+1.25 EUR
163+1.04 EUR
166+0.98 EUR
262+0.6 EUR
264+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH