IPP011N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V

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Technische Details IPP011N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IPP011N03LF2SAKSA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH <= 40V	auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 3.89 EUR 10+ 2.9 EUR 100+ 2.31 EUR 500+ 1.95 EUR 1000+ 1.63 EUR 2000+ 1.57 EUR 5000+ 1.56 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IPP011N03LF2SAKSA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 100+ 1.86 EUR 300+ 1.67 EUR Mindestbestellmenge: 100 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH