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IPP016N08NF2SAKMA1

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Produktcode: 183516
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 80 В
Drain-Strom Idd, A: 196 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12000/170
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineon-ipp016n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineon-ipp016n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f69332aa1057 Description: TRENCH 40<-<100V
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25+3.92 EUR
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250+3.64 EUR
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IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199853.pdf Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 688 Stücke:
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54+4.32 EUR
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IPP016N08NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Description: TRENCH 40<-<100V
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MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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