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Technische Details IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPP016N08NF2SAKMA1 nach Preis ab 2.11 EUR bis 5.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V |
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IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005548844 |
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IPP016N08NF2SAKMA1 Produktcode: 183516 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 80 V Idd,A: 196 A Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170 JHGF: THT |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
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