| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.45 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPP020N03LF2SAKSA1 nach Preis ab 0.84 EUR bis 2.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPP020N03LF2SAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH <= 40VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP020N03LF2SAKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP020N03LF2SAKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 125A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 On-state resistance: 2.05mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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