Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP020N06NAKSA1
IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP020N06N_DS_v02_03_en-1731819.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.07 EUR
10+4.94 EUR
25+3.39 EUR
100+3.31 EUR
250+3.28 EUR
500+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPP020N06NAKSA1 nach Preis ab 2.81 EUR bis 7.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies infineonipp020n06ndsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.02 EUR
50+5.88 EUR
100+3.26 EUR
200+2.95 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5 Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
48+4.86 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5 Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
50+3.88 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP020N06N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 268 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 infineonipp020n06ndsv0203en.pdf
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.02 EUR
50+5.88 EUR
100+3.26 EUR
200+2.95 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.62 EUR
48+4.86 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.54 EUR
50+3.88 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 Infineon-IPP020N06N.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 268 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH