Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP026N04NF2SAKMA1
IPP026N04NF2SAKMA1

IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPP026N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3362638.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.59 EUR
10+2.13 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPP026N04NF2SAKMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666 Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666 SP005632915
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp026n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp026n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666 Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH