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IPP030N10N3GXKSA1

IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp030n10n3g_rev21.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP030N10N3G_DS_v02_01_en-1731887.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
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100+4.50 EUR
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON 1849753.pdf Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 131 Stücke:
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP030N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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12+5.96 EUR
100+4.36 EUR
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