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IPP032N06N3GXKSA1

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Produktcode: 192070
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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127+1.14 EUR
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
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25+2.95 EUR
48+1.52 EUR
53+1.34 EUR
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon info-tipp032n06n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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39+3.8 EUR
82+1.7 EUR
100+1.6 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP032N06N3-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
auf Bestellung 72 Stücke:
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1+4.42 EUR
10+2.2 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
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4+4.82 EUR
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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