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IPP032N06N3GXKSA1

IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp032n06n3_rev2.0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.

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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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26+2.77 EUR
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
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54+1.33 EUR
100+1.22 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
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On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP032N06N3-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
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IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
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Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Produktcode: 192070
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