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IPP034NE7N3GXKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies

infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
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18+4.13 EUR
19+3.8 EUR
22+3.27 EUR
25+2.96 EUR
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IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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50+3.91 EUR
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IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
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3+8.24 EUR
50+4.22 EUR
100+3.84 EUR
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IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
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19+3.8 EUR
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25+2.96 EUR
50+2.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 28500 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2905 Stücke:
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100+3.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2909 Stücke:
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1000+2.38 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+8.24 EUR
50+4.22 EUR
100+3.84 EUR
500+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP034NE7N3GXKSA1 INFN-S-A0001299349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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