IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 3559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 69+ | 2.15 EUR |
| 87+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP034NE7N3GXKSA1 nach Preis ab 2.11 EUR bis 6.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
Produkt ist nicht verfügbar |