IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
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| 17+ | 4.42 EUR |
| 18+ | 3.98 EUR |
| 20+ | 3.63 EUR |
| 27+ | 2.69 EUR |
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Technische Details IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP034NE7N3GXKSA1 nach Preis ab 1.87 EUR bis 6.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V |
auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP034NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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