IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPP037N06L3GXKSA1 nach Preis ab 1.59 EUR bis 4.08 EUR
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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