Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP037N08N3GXKSA1
IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp037n08n3_rev2.1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.

Weitere Produktangebote IPP037N08N3GXKSA1 nach Preis ab 2.06 EUR bis 6.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.35 EUR
24+ 3 EUR
32+ 2.3 EUR
33+ 2.17 EUR
250+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.35 EUR
24+ 3 EUR
32+ 2.3 EUR
33+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP037N08N3_DS_v02_04_EN-1731937.pdf MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.22 EUR
10+ 3.85 EUR
25+ 3.59 EUR
100+ 3.06 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.27 EUR
2500+ 2.22 EUR
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.4 EUR
50+ 3.49 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.28 EUR
2000+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+6.11 EUR
40+ 3.77 EUR
50+ 2.94 EUR
100+ 2.63 EUR
200+ 2.51 EUR
500+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+6.54 EUR
38+ 4.03 EUR
50+ 3.14 EUR
100+ 2.82 EUR
200+ 2.7 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar