IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 79+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
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Technische Details IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPP037N08N3GXKSA1 nach Preis ab 1.32 EUR bis 6.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 |
auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 88 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 88 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 79+ | 1.86 EUR |
| 80+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.49 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.07 EUR |
| 50+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| 2000+ | 1.97 EUR |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP037N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)