IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 116+ | 1.25 EUR |
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Technische Details IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP040N06N3GXKSA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 6.88 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Produktcode: 202066
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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