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IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362564.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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5+3.92 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 74 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
auf Bestellung 76 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 202066
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