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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор

Produktcode: 202066
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2112 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1090 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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10000+1.02 EUR
100000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 335 Stücke:
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33+2.2 EUR
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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99+1.46 EUR
111+1.28 EUR
500+1.03 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N3 G-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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10+2.43 EUR
100+1.65 EUR
500+1.41 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 529 Stücke:
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6+3.24 EUR
50+1.58 EUR
100+1.41 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2112 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
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53+1.36 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
54+2.74 EUR
99+1.46 EUR
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1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPreis
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.65 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
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Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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