Technische Details IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote IPP040N06NAKSA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 5.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP040N06NAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP040N06NAKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
| 2500+ | 1.76 EUR |
| 5000+ | 1.67 EUR |
| IPP040N06NAKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 44+ | 5.77 EUR |
| IPP040N06NAKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)