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IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Technische Details IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.

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IPP040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 IPP040N06NXKSA1
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IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
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IPP040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1-1622357.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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