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IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies

ipp040n06n_rev2.2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
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53+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies ipp040n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
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110+1.58 EUR
114+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies ipp040n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
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111+1.54 EUR
115+1.43 EUR
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IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies ipp040n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 97950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.36 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPP040N06NXKSA1 INFINEON infineon-ipp040n06n-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
88+2.64 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
IPP040N06NXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
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Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
44+5.77 EUR
88+2.64 EUR
100+2.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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