IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP041N12N3GXKSA1 nach Preis ab 3.46 EUR bis 12.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 300W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP041N12N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 300W |
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