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IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
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2+11.16 EUR
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IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
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IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
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auf Bestellung 29 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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41+4.28 EUR
50+4.08 EUR
100+3.82 EUR
500+3.4 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1608 Stücke:
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40+4.38 EUR
50+4.18 EUR
100+3.9 EUR
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MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
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50+5.87 EUR
100+5.36 EUR
500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.54 EUR
31+7.62 EUR
100+6.13 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
auf Bestellung 48 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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