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IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP041N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 25980944-5
Price: 1435 EUR
Availability: InStock

6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPP041N12N3GXKSA1 nach Preis ab 1.76 EUR bis 7 EUR

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IPP041N12N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en-1227153.pdf

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP041N12N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

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IPP041N12N3GXKSA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP041N12N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N12N3GXKSA1 THT N channel transistors

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