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IPP045N10N3GXKSA1

IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 799 Stücke:
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Technische Details IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 799 Stücke:
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58+3.03 EUR
59+2.9 EUR
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auf Bestellung 13390 Stücke:
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54+3.14 EUR
100+2.77 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.96 EUR
2000+1.87 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.84 EUR
34+2.52 EUR
37+2.33 EUR
50+2.11 EUR
100+1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon info-tipp045n10n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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10+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3 G-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 5769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+4.96 EUR
100+3.71 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.73 EUR
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004848058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
56+4.18 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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auf Bestellung 13386 Stücke:
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24+7.45 EUR
50+3.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.24 EUR
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 3336 Stücke:
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3+7.64 EUR
50+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 9 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 799 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
58+3.03 EUR
59+2.9 EUR
100+2.56 EUR
500+2.02 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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54+3.14 EUR
100+2.77 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.96 EUR
2000+1.87 EUR
5000+1.77 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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23+3.84 EUR
34+2.52 EUR
37+2.33 EUR
50+2.11 EUR
100+1.94 EUR
250+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
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MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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1+6.47 EUR
10+4.96 EUR
100+3.71 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.73 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7 EUR
56+4.18 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 13386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.45 EUR
50+3.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.24 EUR
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1 Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 3336 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+7.64 EUR
50+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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