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IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
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Technische Details IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm.

Weitere Produktangebote IPP050N03LF2SAKSA1 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP050N03LF2SAKSA1 IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP050N03LF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 3050 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
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IPP050N03LF2SAKSA1 IPP050N03LF2SAKSA1 INFINEON Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466 Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
auf Bestellung 2760 Stücke:
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MOSFETs IR FET UP TO 60V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
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