IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
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| 43+ | 1.7 EUR |
| 45+ | 1.62 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 59+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
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Technische Details IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP052NE7N3GXKSA1 nach Preis ab 1.22 EUR bis 3.31 EUR
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V |
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