Weitere Produktangebote IPP057N06N3GXKSA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP057N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |