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IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5460 Stücke:
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74+2.36 EUR
100+2.11 EUR
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1000+1.58 EUR
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 159612 Stücke:
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266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
39+2.23 EUR
50+1.77 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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40+4.45 EUR
73+2.36 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
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100+2.02 EUR
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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38+4.66 EUR
74+2.27 EUR
100+1.99 EUR
500+1.54 EUR
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+2.49 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
5000+1.78 EUR
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.53 EUR
50+2.7 EUR
100+2.43 EUR
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IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON INFNS16324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 250 Stücke:
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38+6.62 EUR
67+3.47 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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74+2.27 EUR
100+1.99 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
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10+3.53 EUR
50+2.7 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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