IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 116A, Pulsed drain current: 464A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 53nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPP095N20NM6AKSA1 nach Preis ab 3.15 EUR bis 7.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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