IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 4.51 EUR |
| 36+ | 3.95 EUR |
| 37+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 116A, Pulsed drain current: 464A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 53nC, Technology: OptiMOS™ 6.
Weitere Produktangebote IPP095N20NM6AKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IPP095N20NM6AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Technology: OptiMOS™ 6 |
Produkt ist nicht verfügbar |